AI需求推动存储市场超级周期，预计2025年将出现供应短缺

总结： 由于人工智能需求的激增以及过去两年资本投资的不足，内存市场正迎来一个“超级周期”。这种供需失衡预计将在2025年达到顶峰，届时DRAM和HBM（高带宽内存）将面临严重短缺。HBM，一种专为高性能计算设计的特殊类型DRAM，其需求将急剧上升，可能占到DRAM总使用量的30%。

自2022年以来，新制造设施的缺乏和资本支出的减少加剧了供应紧张。内存产品的价格预计将大幅上涨，其中HBM和服务器DRAM引领涨势。在市场战略地位上的SK海力士和三星等公司预计将大幅受益，其市场份额和盈利能力有望增加。

洞察： 这一周期与历史模式不同，主要是因为人工智能应用的特定需求激增和产能扩张的不足投资。转向HBM，每比特需要更多晶圆产能且生产良率较低，进一步复杂化了供应情况。随着客户优先考虑确保供应而非价格，内存市场的动态正在根本性地改变，有利于那些拥有强大生产能力的企业。

解释：

• DRAM（动态随机存取存储器）： 计算机和其他设备中用于临时数据存储的一种内存类型。
• HBM（高带宽内存）： 一种高性能的DRAM，使用堆叠内存芯片，主要用于高端计算系统，如AI服务器。
• 资本支出（CapEx）： 公司用于收购、升级或维护如工厂、机械或设备等有形资产的资金。
• 晶圆： 半导体材料制成的薄片，用于集成电路的制造。