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美印加强半导体合作,计划在印度建先进芯片制造厂

US and India strengthen semiconductor cooperation, plan to build advanced chip manufacturing plant in India.

美国与印度加强半导体合作,拜登与莫迪宣布在印度西孟加拉邦建立先进芯片制造厂。该厂将生产红外、氮化镓和碳化硅半导体,专注于传感、通信、国家安全等领域。此举旨在促进两国技术合作,创造就业机会。

印度政府通过“印度半导体使命”支持产业发展,包括吸引投资、研发和基础设施建设。奥里萨邦也计划建立第二座碳化硅工厂,预计产能为72000片/年,用于电动汽车和可再生能源领域。

印度正努力推动芯片制造业,德国英飞凌公司也表现出合作意向。三方讨论了功率半导体的发展,英飞凌考虑将部分工作岗位转移至印度。

注释:

  • 氮化镓(GaN):一种半导体材料,用于高效功率转换。
  • 碳化硅(SiC):另一种半导体材料,适用于高温和高频应用。
  • MOSFET:金属氧化物半导体场效应晶体管,用于电子开关和放大。

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