科技迷周刊(2024-06-14) : ASML发布下一代'Hyper-NA'极紫外光刻技术路线图
ASML发布下一代'Hyper-NA'极紫外光刻技术路线图
阿斯麦尔(ASML)计划推出“超NA”极紫外(EUV)技术,旨在将数值孔径从0.55提升至0.75,以期在2030年后进一步增强芯片密度。面临的挑战包括极化效应和更薄的抗蚀材料。随着高NA技术的极限逼近,超NA技术可能成为关键,尽管其复杂性不容小觑。
替代方案稀缺,预示着未来可能转向更优质的通道材料。
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